Техпроцесс процессора

Имея сведения о характеристиках какого-либо процессора, можно с легкостью разобраться в его особенностях и объективно оценить производительность, которую будет выдавать система. Поэтому разбираться во всех характеристиках и нюансах процессоров крайне важно. Эта статья поможет вам разобраться с некоторыми вопросами, возникающими в отношении основных характеристик компьютерных процессоров. Все эти характеристики будут перечислены, как и краткие объяснения, на что они влияют.

Сразу отметим: не стоит забывать о правиле комплектности всех имеющихся характеристик процессора.

То есть нельзя делать какие-либо выводы о производительности процессора только по одной из представленных характеристик. Говорить, что процессор, тактовая частота которого больше, лучше какого-либо другого, уже нельзя из-за того, что теперь процессоры имеют не одно-единственное ядро. Однако количество ядер также не даст вам объективной информации о процессоре в целом. Поэтому мы советуем вам оценивать весь комплекс характеристик и только потом делать какие-то выводы. Итак, давайте, наконец, рассмотрим эти самые характеристики.

Количество ядер процессора

С появлением процессоров, число ядер в которых больше одного, эта характеристика стала одной из важнейших для определения его производительности. Время процессоров, имеющих одно ядро, уже давно прошло, даже просто найти их в продаже сейчас вряд ли возможно. Само собой, число ядер процессора должно увеличиваться с ростом количества задач, для которых он приобретается. Для небольших программ и серфинга по интернету вам с лихвой хватит самого простого двухъядерного процессора.

А если мы говорим о профессиональной работе в каких-либо графических редакторах или других приложениях, для работоспособности которых нужен мощный компьютер, здесь лучше внимательно присмотреться к 4-х или даже 8-ми ядерным процессорам. Их производительности вам будет достаточно для любых задач.

Техпроцесс процессора

Указанная характеристика не оказывает прямого влияния на производительность вашего «железа», однако здесь есть одно крайне важное «но». Невозможно, например, увеличить тактовую частоту процессора или провести какие-либо другие изменения его архитектуры без внесения некоторых изменений в его техпроцесс. Это связано с тем, что в линейке одного семейства процессоров, работающих на одном техпроцессе, стоит определенное ограничение на увеличение тактовой частоты. В 2011-12 годах появились процессоры с техпроцессом в 22 нм, и в дальнейшем этот показатель будет уменьшаться, что понятно, потому что 22 нм — ширина, которую имеет база транзисторов, на которых и строятся процессоры. И чем меньше будет их ширина, тем больше поместится на кристалле процессора, что приведет к увеличению его производительности. Сейчас техпроцесс процессоров от фирмы AMD равен 32 нм, а от фирмы Intel — 22 нм.

Тактовая частота процессора

Тактовая частота — это, наверное, самая широко известная характеристика процессоров. Эта характеристика показывает число вычислений, которые может произвести процессор за единицу времени, и она является определяющей при вычислении его производительности. Тактовая частота производящихся сейчас процессоров находится в интервале от 1 до 4 ГГц. Однако эта характеристика также не является единственной, на которую стоит обратить свое внимание. Хотя она, безусловно, важна, и перед покупкой компьютера советуется изучить этот вопрос как можно лучше.

Объем кэш памяти процессора

Кэш-память нынешних процессоров здорово увеличивает их производительность. Что такое кэш?

Объясняем: кэш — это крайне быстрая память, которая помогает центральному процессору максимально быстро получить какие-либо данные, использующиеся при работе наиболее часто.

Кэш-память бывает нескольких уровней, а именно:

  • кэш первого уровня. Он работает максимально быстро, однако его размер довольно строго ограничен;
  • кэш второго уровня. По быстроте он немного уступает первому, однако он превосходит его по своему объему;
  • кэш третьего уровня. Она, соответственно, менее быстрая, нежели память первого и второго уровня, но имеет увеличенный объем по сравнению с ними.

Даже кэш память третьего уровня работает на порядок быстрее, нежели оперативное запоминающее устройство. В данный момент объем кэш памяти третьего уровня уже достигает объема в 12-16 Мбайт. Ограничивается ее объем из-за того, что процесс ее производства очень сложен, что также сказывается и на ее стоимости.

Сокет процессора

Это сокет-разъем, который располагается на материнской плате и в который вставляется сам процессор. Как и техпроцесс, напрямую он на производительность не влияет и даже не относится к характеристикам самого процессора, однако не стоит забывать о том, что сокеты бывают разные. Вы не сможете поставить процессор, рассчитанный на определенный сокет, на материнскую плату с другим сокетом, поэтому нужно быть максимально внимательным к этому нюансу при покупке центрального процессора.

Дополнительная информация по теме

Qualcomm объявил о начале производства процессора Snapdragon 835 на основе 10-нм техпроцесса Samsung. Говорим о том, что это значит для нас, пользователей?

17 ноября 2016 Qualcomm выпустил официальный пресс-релиз, в котором сообщалось, что компания начинает производство процессоров Qualcomm Snapdragon 835 на основе передового 10-нм техпроцесса разработки Samsung Electronics. Смартфоны с процессором Qualcomm нового поколения появятся в продаже уже в начале 2017 года.

Пронизанная техническими деталями новость кому-то кажется проходной, но на деле мы имеем дело с блокбастером, который может изменить наши представления о возможностях мобильных устройств.

Что такое техпроцесс, если не усложнять…

Процессор мобильного телефона — это микросхема с огромным количеством транзисторов. Если у вас, скажем, пятый iPhone, транзисторов на кристалле примерно 1,4 млрд. Если вы стали счастливым обладателем семерки от Apple, число транзисторов в смартфоне переваливает за 3,3 млрд. Под крышкой флагманов Samsung транзисторов еще больше, а чем их больше, тем шустрее телефон.

Теперь о том, как это связано с техпроцессом… Техпроцесс (тп) — характеристика технологии производства процессоров для видеокарт, смартфонов и ноутбуков. Сегодня процессоры штампуют методом фотолитографии, проще говоря, «резьбы по камню» с применением направленного света.

Чем выше разрешающая способность светового луча, высекающего транзисторы на кремниевой подложке, тем мельче получаются транзисторы.

В техпроцессе 28 нм, с помощью которого сделаны мобильные процессоры смартфонов бюджетного сегмента, световой «резак» обладает разрешающей способностью 28 нм. Это значит, что размер функционального блока, как и расстояние между соседними транзисторами, не может быть меньше 28 нм. В техпроцессе 16 нм используется луч, который высекает транзисторы с еще большей точностью.

Дальнейшая логика понятна. Чем меньше минимально допустимое расстояние между транзисторами, тем больше их поместится на единице площади. Именно поэтому в пятом iPhone, процессор которого делали по тп 28-нм, меньше транзисторов, чем в iPhone 7, ядро которого штампуют по техпроцессу 16-нм. Еще более передовой 14-нм техпроцесс использует Samsung в процессорах Exinos. 10 нм сулит нам фантастическую детализацию, рекордно малый размер транзисторов и увеличение их числа.

О влиянии техпроцесса на нашу жизнь

Особенности техпроцесса влияют на все аспекты смартфоно-строения и определяют не только быстродействие, но даже внешний вид телефона. Уменьшение размера транзисторов позволяет увеличивать число ядер, поднимать частоту, сокращать потребление энергии, продлевать срок работы аккумулятора, избегать перегрева в требовательных играх и приложениях.

Производительность процессоров смартфонов напрямую зависит от техпроцесса. Чем ниже энергопотребление, тем дольше держит батарея. Чем ниже нагрев процессора, тем сильнее можно его разогнать.

Сокращение площади чипсета позволяет увеличить количество ядер, а объединив рост числа функциональных блоков с повышением их тактовой частоты, мы получим максимальное быстродействие.

Новость от Qualcomm и Samsung говорит о том, что флагманские модели телефонов, которые получат передовой процессор Qualcomm Snapdragon 835 уже в начале 2017 года, будут обладать следующими техническими преимуществами перед всеми конкурентами:

  • Повышение частотного потенциала процессора
  • Снижение энергопотребления
  • Уменьшение нагрева процессора и смартфона
  • Существенный прирост производительности без «побочных эффектов»

Если мы посмотрим на выгоды перехода на новый техпроцесс еще более внимательно, то заметим следующие моменты:

1. Телефоны не будут перегреваться. Не придется бояться за сохранность аппарата, работая в требовательном приложении или в игре.

2. Сокращение энергопотребления позволяет уменьшить емкость и физический размер аккумулятора без ущерба для автономности телефона. Можно дольше рубиться в игры или общаться в соцсетях без судорожного поиска подзарядки.

3. Снижение требований к батарее позволяет улучшать и функционал, и экстерьер смартфона. Можно обрезать батарею и использовать освободившееся пространство для прокачки других функций. Второй вариант — уменьшить габариты самого смартфона, сделав его тоньше и легче.

Обо всем этом и сообщает официальный пресс-релиз компании Qualcomm от 17 ноября 2016 года. Смартфоны на 10-нм техпроцессе будут на 30% эффективнее использовать площадь, на 27% быстрее работать, и на 40% медленнее расходовать батарею, чем предшественники на тп 14-нм.

Еще один важный момент.

После перевода флагманских моделей на 10-нм техпроцесс в средний ценовой сегмент опустятся чипсеты на 14-нм, а середняки перейдут в категорию бюджетников. Это значит, что мощные аппараты станут дешевле, а бюджетные — станут похожи на сегодняшних середняков.

станет, иви и санди бридж совместимы

Литогра́фия — способ печати, при котором краска под давлением переносится с плоской печатной формы на бумагу. В основе литографии лежит физико-химический принцип, подразумевающий получение оттиска с совершенно гладкой поверхности (камня), которая, благодаря соответствующей обработке, приобретает свойство на отдельных своих участках принимать специальную литографскую краску.

От размера транзисторов функциональный состав не меняется. Сотри в описании материнки совместимые процессоры, а не на техпроцессы.

После нанесения и сушки слоя фоторезиста наступает этап формирования необходимого защитного рельефа. Рельеф образуется в результате того, что под действием ультрафиолетового излучения, попадающего на определенные участки слоя фоторезиста, последний изменяет свойства растворимости, например освещенные участки перестают растворяться в растворителе, которые удаляют участки слоя, не подвергшиеся освещению, или наоборот — освещенные участки растворяются. По способу образования рельефа фоторезисты делят на негативные и позитивные. Негативные фоторезисты под действием ультрафиолетового излучения образуют защитные участки рельефа. Позитивные фоторезисты, напротив, под воздействием ультрафиолетового излучения приобретают свойства текучести и вымываются растворителем. Соответственно защитный слой образуется в тех участках, которые не подвергаются ультрафиолетовому облучению. Для засветки нужных участков слоя фоторезиста используется специальный шаблон-маска. Чаще всего для этой цели применяются пластинки из оптического стекла с полученными фотографическим или иным способом непрозрачными элементами. Фактически такой шаблон содержит рисунок одного из слоев будущей микросхемы (всего таких слоев может насчитываться несколько сотен). Поскольку этот шаблон является эталоном, он должен быть выполнен с большой точностью. К тому же с учетом того, что по одному фотошаблону будет сделано очень много фотопластин, он должен быть прочным и устойчивым к повреждениям. Отсюда понятно, что фотошаблон — весьма дорогая вещь: в зависимости от сложности микросхемы он может стоить десятки тысяч долларов. Ультрафиолетовое излучение, проходя сквозь такой шаблон, засвечивает только нужные участки поверхности слоя фоторезиста. После облучения фоторезист подвергается проявлению, в результате которого удаляются ненужные участки слоя. При этом открывается соответствующая часть слоя диоксида кремния. Несмотря на кажущуюся простоту фотолитографического процесса, именно этот этап производства микросхем является наиболее сложным. Дело в том, что в соответствии с предсказанием Мура количество транзисторов на одной микросхеме возрастает экспоненциально (удваивается каждые два года). Подобное возрастание числа транзисторов возможно только благодаря уменьшению их размеров, но именно уменьшение и «упирается» в процесс литографии. Для того чтобы сделать транзисторы меньше, необходимо уменьшить геометрические размеры линий, наносимых на слой фоторезиста. Но всему есть предел — сфокусировать лазерный луч в точку оказывается не так-то просто. Дело в том, что в соответствии с законами волновой оптики минимальный размер пятна, в который фокусируется лазерный луч (на самом деле это не просто пятно, а дифракционная картина), определяется кроме прочих факторов и длиной световой волны. Развитие литографической технологии со времени ее изобретения в начале 70-х шло в направлении сокращения длины световой волны. Именно это позволяло уменьшать размеры элементов интегральной схемы. С середины 80-х в фотолитографии стало использоваться ультрафиолетовое излучение, получаемое с помощью лазера.

Идея проста: длина волны ультрафиолетового излучения меньше, чем длина волны света видимого диапазона, следовательно, возможно получить и более тонкие линии на поверхности фоторезиста. До недавнего времени для литографии использовалось глубокое ультрафиолетовое излучение (Deep Ultra Violet, DUV) с длиной волны 248 нм. Однако когда фотолитография перешагнула границу 200 нм, возникли серьезные проблемы, впервые поставившие под сомнение возможность дальнейшего использования этой технологии. Например, при длине волны меньше 200 мкм слишком много света поглощается светочувствительным слоем, поэтому усложняется и замедляется процесс передачи шаблона схемы на процессор.

Техпроцесс процессора что это

Восьмое поколение Intel Core останется на техпроцессе 14 нм

Компания Intel официально объявила, что восьмое поколение процессоров Core по-прежнему будет производиться по технологическому процессу 14 нм. Intel предпочитает позиционировать это поколение как «14 нм+», подчёркивая технические улучшения:

  • улучшенное напряжение канала (channel strain);
  • улучшенный профиль (fin profile);
  • интеграция дизайна и производства.

Благодаря улучшению техпроцесса удалось добиться значительной прибавки в производительности, которая составит более 15% по тесту SysMark. Таким образом, в этом году производительность процессоров Core i7 вырастет больше, чем в прошлом. Это показано на слайде из презентации вверху под заголовком «Продвижение закона Мура на 14 нм». Новое поколение процессоров на усовершенствованной платформе 14 нм запланировано к выходу на вторую половину 2017 года. Они будут обозначены как семейство Core i7/i5/i3-8000 и заменят существующее семейство 7-го поколения. На презентации для инвесторов Intel ничего не говорила о планах выпуска семейства Cannonlake (прежнее название Skymont) — микропроцессоров на 10-нм технологическом процессе. Предполагается, что они должны выйти в конце 2017 года, а рабочий образец Cannonlake на 10 нм показывали недавно на выставке CES. Именно семейство Cannonlake ранее позиционировалось как 8-е поколение процессорной архитектуры, которое сменит Skylake в рамках стратегии «тик-так». Теперь же появилось ещё одно семейство, которое не имеет ничего общего с Cannonlake. Возможно, это попытка продать старый продукт в новой упаковке.

По имеющейся информации, планы Intel по выпуску Kaby Lake-X, Skylake-X и Cannonlake во второй половине 2017 года остаются неизменными, несмотря на появление вышеупомянутого нового семейства Core i7/i5/i3-8000. Пока не совсем понятно, в какую именно из планируемых продуктовых линеек следует позиционировать новое семейство процессоров для десктопов.

Возможно, новое семейство является неким переходным этапом перед выпуском Coffee Lake, которое пока планируется на I кв. 2018 года. Некоторые специалисты предполагают, что к такому шагу Intel могли подтолкнуть действия AMD, которая собирается в марте 2017 года вывести на рынок линейку процессоров Ryzen.

Отмена стратегии «тик-так»

Intel неизменно придерживалась стратегии «тик-так» с 2006 года. С тех пор каждые два года она выпускала процессоры по новому техпроцессу, значительно увеличивая количество транзисторов на кристалле. Каждый переход на новый техпроцесс обозначался как «тик», а последующее улучшение микроархитектуры с тем же техпроцессом — «так». Гигант полупроводниковой промышленности десять лет работал как часы, выдавая новые архитектуры без сбоев.

Год Кодовое название микроархитектуры Техпроцесс «Тик» или «так»
2006 65 нм P6, NetBurst «тик»
2006 65 нм Core «так»
2008 45 нм Penryn «тик»
2009 45 нм Nehalem «так»
2010 32 нм Westmere «тик»
2011 32 нм Sandy Bridge «так»
2012 22 нм Ivy Bridge «тик»
2013 22 нм Haswell «так»
2014 14 нм Broadwell «тик»
2015 14 нм Skylake «так»
2016 14 нм Kaby Lake «так»

Похоже, что в 2016 годах «часы» Intel немного закоротило на 14 нм, и компания объявила об отказе от этой стратегии. В принципе, ничего страшного в этом нет. Повторим, в этом году рост производительности чипов (более 15%) будет даже больше, чем в прошлом (15%), сказала Intel.

Может быть, действительно лучше выжимать весь резерв из существующего техпроцесса, оптимизируя его, а уже потом двигаться дальше. Мы не можем критиковать Intel за отход от стратегии, которую она сама себе добровольно установила. Так или иначе, но теперь стратегия «тик-так» модифицировалась в иной вид. Вместо размеренного метронома теперь реализована новая процедура с большим упором на оптимизацию. Возможно, новая архитектура не будет выходить каждые два года, как это было раньше. Почему Intel не форсирует переход на 10 нм? Ей не нужно этого делать, потому что она считает, что и так сильно оторвалась в своём технологическом превосходстве от конкурентов в полупроводниковой промышленности (Samsung, TSMC и прочие).

Компания оценивает этот отрыв примерно в три года.

Такой запас позволяет чувствовать себя вполне уверенно.

Новый завод для 7 нм

Светлое будущее закона Мура должен обеспечить новый завод Intel Fab 42, который сможет обеспечить производство по техпроцессу 7 нм.

Строительство и оборудование займёт ещё три-четыре года и потребует значительных инвестиций. Завод в Чандлере (штат Аризона) уменьшит количество местных безработных примерно на 3000 человек (+ ещё 10 000 рабочих мест добавится косвенно). Строительство завода в Чандлере началось в 2011 году. Он должен стать самым передовым и инновационным полупроводниковым предприятием в мире. Само здание закончили в 2013 году, но вместо установки оборудования на 14 нм в начале 2014 года компания Intel решила отложить запуск конвейера. В данный момент завод готов: системы воздушного кондиционирования, обогрева и другие — всё функционирует, осталось только установить и наладить оборудование. Intel не планирует задействовать эту фабрику для производства по техпроцессу 10 нм, так что через несколько лет здесь, вполне вероятно, освоят производство по следующей норме 7 нм.

По оценке Intel, оборудование обойдётся примерно в $7 млрд. Такова стоимость современного промышленного предприятия. Пока неизвестно, какое конкретно оборудование понадобится. Возможно, Intel там начнёт использовать фотолитографию в глубоком ультрафиолете (EUV).

В заре двухтысячных Intel надеялась, что к 2005 году частоты процессоров вырастут до 10 ГГц, а работать они будут под напряжением ниже вольта. Как мы знаем, этого не случилось. Примерно десять лет назад перестал работать закон масштабирования Деннарда, утверждавший, что с уменьшением размеров транзисторов можно уменьшать подаваемое на затвор напряжение и увеличивать скорость переключения. С тех пор редко какой процессор получает штатную частоту работы выше 4 ГГц, зато ядер стало больше, на кристалл с материнской платы перекочевал северный мост, появились другие оптимизации и ускорения. Теперь замедляется и закон Мура, эмпирическое наблюдение, которое говорит о постоянном увеличении числа транзисторов на кристалле за счёт уменьшения их размеров.

Метки:

  • Core i7
  • 8-е поколение
  • Intel
  • 14 нм
  • 10 нм
  • 7 нм
  • Cannonlake
  • Skymont
  • Coffee Lake

geektimes.ru

Техпроцесс (нм, мкм) — технология производства транзисторов, чипов и полупроводниковых элементов. Что даёт более тонкий техпроцесс?

Технологический процесс (электронная литографическая промышленность, техпроцесс ,мкм, nm/нм; tecnology node, process tecnology — eng.) – свод норм для изготовления полупроводниковых (п/п) микросхем. В частности, самой важной характеристикой является размер полупроводниковых элементов, которые состоят из транзисторов, ключей, диодов и других элементов.

Измеряются эти элементы в микронах (мкм, микрометр) и нанометрах (нм, nm).

Чем меньше базовые элементы, тем лучше их характеристики.

Преимущества более «тонкого» техпроцесса:

· Меньшее тепловыделение. Получается это за счёт уменьшения размеров дорожек, разводки, затворов и требуемых токов для нормального функционирования. Также из-за меньших токов утечки.

· Большее количество транзисторов, которые можно «упаковать» в одном и том же пространстве более компактно, и создавать чипы меньше. При этом более технологичные, с большим количеством элементов.

· Меньшее потребление энергии. Чем меньше элементы, тем меньшие токи нужны для управления ими.

· Меньшая стоимость производства. Чем меньше чипы по размеру, тем больше чипов можно разместить на полупроводниковых пластинах. Это увеличивает количество готовых продуктов при тех же затратах.

Этапы производства микрочипов:

1. Сначала выращивают кристаллический кремний и формируют его форму для распиливания на круглые пластины.

2. Далее следует точная подгонка размеров пластин и проверки их на чистоту с последующим очищением и полировкой газом и жидкостями иили плазмохимическими методами.

3. Далее следует эпитаксиальное нанесение равномерного слоя подобного подложке вещества на атомном уровне, которое служит как фундамент и выравнивающий, общий уровень. Так же применяется маскирующий слой, который защищает нанесённый слой атомов кремния от воздействий на следующих этапах.

4. Следующий шаг – фотолитография. Под действием специального излучения с разной длинной волн, на поверхности пластины, появляются химические маркеры, которые войдут в реакцию с последующими активными веществами.

5. Химическим методом и методом диффузии, под действием активных веществ (фосфор, бор), образуются p— и n— области, микро-переходы и желобки, которые станут будущими элементами.

6. Следует фотолитографическая обработка в слое оксида определённых участков, которая даст маркеры (легированные участки) для нанесения металлических элементов (разводка, контакты), методом вакуумного металлизирования. Излишки металла удаляются, а тот который нанесён правильно, термически закрепляют (впаивают). Таким образом, образуются готовые элементы микрочипа.

7. Нанесение, нужного количества уровней диэлектрика и металла с последующей фотолитографией и обработкой (слоёв может быть сколько угодно, всё зависит от допустимой высоты). Над самым верхним слоем, наносятся несколько слоёв металла и диэлектрика для защиты и правильного рассеивания тепла.

8. Пассивация пластины, тесты, нарезка на микрочипы, монтаж на корпус процессора и соединение выводов, отбраковка.

Место производства, чистые комнаты.

Для производства микросхем, применяются специальные «чистые комнаты» с фильтрами и статическими механизмами для удержания мелких частиц пыли, волос, пуха & etc. Так как даже пылинка, попавшая на микрочип в процессе производства, может нарушить его работу, не говоря уже о волосах и пухе.

Перед входом, рабочие надевают специальные костюмы, очки и шапки, а также проходят специальные процедуры очистки.

К тому же все сотрудники дышат через специальные фильтры, чтобы полностью исключить источники инородных объектов.

Самые крупные мощности литографических производств имеются у крупнейших компаний подрядчиков: TSMC и GlobalFoundries. Крупную долю на мировом рынке производства микрочипов имеет Intel, но компания занимается производством чипов только для своих нужд. Возможно в будущем данный подход изменится. Дружественным компаниям, Intel всё же оказывает контрактные услуги, но в основном только акционерам.

Компания Intel, первой планирует запустить производство микрочипов с применением трёхмерных транзисторов (3G, FinFET).

______

С переходом на всё более тонкий техпроцесс, производителям приходится вкладывать всё больше средств на разработку методов реализации нового техпроцесса. Также уходит больше времени на строительство новых фабрик для производства.

Поэтому, многие производители объединяются в группы и совместно вкладывают средства в разработку техпроцессов и строительство новых фабрик.

В сокращении издержек, также помог бы переход на более крупные пластины 450 мм, но это потребует строительства большинства фабрик с нуля и производства совершенно нового оборудования, что затратно. Переход планируется в 2012-13 году.

www.xtechx.ru

Особенности характеристик процессора или основные параметры CPU

Зная характеристики процессора, можно разложить его по полочкам и адекватно оценить вычислительную производительность будущей системы. Именно поэтому, очень важно хорошо разбираться во всех основных характеристиках процессоров.

Данная статья будет вводным материалом, где будут перечислены все основные параметры CPU с кратким описанием каждого. Для более подробного ознакомления с какой-либо характеристикой, Вам просто необходимо будет перейти по нужным ссылкам, где в отдельных статьях будет подробно расписано про каждый из пунктов.

Сразу оговорюсь: некоторым расскажу, а некоторым напомню, одно простое правило комплексности характеристик. То есть, к выводам относительно производительности того, или иного процессора нельзя подходить с точки зрения лишь одной характеристики. К примеру, утверждение «лучше тот процессор, у которого частота больше», уже не работает в силу появления понятия многоядерности и других факторов. Точно так же, нельзя выбирать процессор по количеству ядер, ведь есть и другие не менее важные критерии. Так что, настоятельно рекомендую смотреть на все характеристики, и оценивать процессор по всем параметрам сразу. Итак, давайте, пожалуй, больше конкретики, поэтому подъезжаем к конкретным основным характеристикам процессоров.

1. Многоядерность процессора

Эта характеристика, последние несколько лет, является одной из наиболее важных в сфере центральных процессоров, но не решающей, как я уже упоминал выше. Уже давно прошла эра одноядерных процессоров, поэтому сейчас стоит выбирать многоядерные процессоры (одноядерные еще надо постараться найти). Соответственно, количество ядер нужно подбирать, под конкретные задачи. К примеру, для простеньких задач в виде офисных приложений и сёрфинга в интернете, двухъядерного процессора хватит более чем полностью.

А вот для таких задач как профессиональная работа с графикой, понадобится процессор с 4 или 8 ядрами – многое решает конкретная модель процессора и специфика задач. Прочитать подробно о самих принципах многоядерности вы можете в полной статье.

Читать статью: Многоядерность процессоров

2. Техпроцесс процесора

Техпроцесс производства напрямую не влияет на производительность процессора при выполнении задач, но и тут есть одно «но». Увеличение тактовой частоты или любые другие архитектурные изменения, невозможны без вноса изменений в текущий техпроцесс, так как в пределах одного семейства процессоров на одном техпроцессе, запас на наращивание тактовой частоты ограничен. В 2011-2012 годах были выпущены процессоры с техпроцессом 22нм, и всё идёт к уменьшению данных показателей. По сути 22 нм — это ширина базы транзисторов, на которых преимущественно построены процессоры. Логичен тот факт, что чем меньше будет ширина базы транзистора, то тем больше их можно будет «впихнуть» на кристалл, а значит — производительность процессора увеличится. На данный момент процессоры AMD имеют в своем распоряжении техпроцесс 32нм, интел — 22 нм.

Читать статью: Техпроцесс процессоров

3. Тактовая частота процессора

Наиболее известная характеристика процессоров – это тактовая частота. Частотой процессора определяется количество производимых вычислений в единицу времени и от неё напрямую зависит производительность процессора. Частота современных центральных процессоров колеблется от 1 до 4 ГГц, но не стоит смотреть только на тактовую частоту процессора, следует обращать внимание и на другие параметры. Безусловно частота процессора до сих пор является важным параметром, рекомендую почитать полную статью по данной характеристике.

Читать статью: Тактовая частота процесора

4. Объём кэш-памяти

Кэш современных процессоров значительно поддает им производительности. Кэш – это сверхбыстрая энергозависимая память, которая позволяет процессору быстро получить доступ к определённым данным, которые часто используются.

Различают кэш-память нескольких уровней:

— кэш первого уровня является самым быстрым, но при этом его размер очень ограничен;

— кэш второго уровня чуть медленнее, но при этом немного больше по объёму.

— также и с кэш-памятью третьего уровня, которая немного медленнее кэша первого и второго уровня, но всё равно значительно быстрее оперативной памяти.

Сейчас размер кэш-памяти третьего уровня достигает 12-16 Мбайт и более. Ограниченность объёма кэш-памяти проявляется в её дороговизне из-за сложного процесса производства.

Читать статью: Кэш-память процессора

5. Сокет процессора

Сокетом, является разъём на материнской плате, в который устанавливается сам процессор. Опять же, сокет не является прямой характеристикой процессора, но данный фактор настолько важен, что мы не можем о нем не вспомнить. Очень важно, чтобы сокет процессора и сокет материнской платы совпадали, ибо процессор который позиционируется под сокет LGA 1155, никак не будет работать на материнской плате с сокетом LGA 775, об этом нужно помнить, и всегда при подборе комплектующих сверять данные параметры. Настоятельно рекомендую ознакомиться с полной статьей о сокетах процессоров.

Читать статью: Сокет процессора

Пока что это всё, некоторые другие характеристики, по мере написания подробных статей, будут добавлены в ближайшем будущем. Но вы можете ознакомится и с другими материалами, которые относяться к компьютерным процессоррам, например, как наносить термопасту на процессор.

we-it.net

.

Добавить комментарий

Закрыть меню